電容電壓特性測試儀原理介紹
電容電壓（C-V）特性測試儀是測試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測試儀器。專用于測量半導體器件PN結(jié)勢壘在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。
儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電流小分辨率為0.01μA或0.1μA（可選）。
該測試儀器性能穩(wěn)定可靠，功能齊全，精度高，操作簡單，適用于元件生產(chǎn)廠家，科研部門，高等院校等單位。
2. 原理
CV法利用PN結(jié)或肖特基勢壘在反向偏壓時的電容特性，可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息，這類測量成為C-V測量技術(shù)。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。
組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應（勢壘電容），加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
該儀器采用電流電壓測量方法，它用微處理器通過8 次電壓測量來計算每次測量后要求的參數(shù)值。用一個相敏檢波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順序快速完成電壓測量。正交測量通過交換測量信號的相位來進行，而不是參考相位檢測。因而不需要精密的模擬相位轉(zhuǎn)換成電壓矩形波電路。通過從同一個高頻信號源形成測試信號和參考信號，來保證正確的相位關(guān)系。由微處理器根據(jù)已知的頻率和測試信號相位，用ROM 存儲器內(nèi)的程序和所存儲的按鍵選擇來控制測量順序，以及存儲在RAM 中的校準數(shù)據(jù)來計算被測元件數(shù)值。
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