憑借高于 95% 的極高量子效率，及其高達(dá) 155 x 162 毫米的極大有效面積，PILATUS4 R CdTe 探測(cè)器可對(duì)基于從銅（Cu）到銦（In）的任何X射線源的快速數(shù)據(jù)收集。特別是對(duì)于鉬（Mo）、銀（Ag）和銦（In）輻射，PILATUS4 R CdTe 的性能優(yōu)于任何配有硅傳感器的 HPC 探測(cè)器 - 甚至包括目前擁有最厚的硅傳感器的 PILATUS3。 PILATUS4 憑借出色的計(jì)數(shù)率和無探測(cè)器背景噪聲的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了跨越十個(gè)數(shù)量級(jí)的廣泛動(dòng)態(tài)范圍，高達(dá) 200Hz 的內(nèi)部幀速，進(jìn)一步優(yōu)化了計(jì)數(shù)率校準(zhǔn)，從而確保高強(qiáng)度測(cè)量的高度準(zhǔn)確性。此外，PILATUS4 還具備四個(gè)能量區(qū)分閾值，為勞厄衍射和光譜成像等應(yīng)用帶來了新的可能。
| PILATUS?4?R CdTe | 1M | 260K | 260K-W |
| 有效成像面積 (W x H) [mm2] | 155.0 x 162.0 | 77.0 x 79.5 | 155.0 x 38.3 |
| 像素陣列 (W x H) | 1,033 x 1,080 | 513 x 530 | 1,033 x 255 |
| 像素大小 (W x H) [μm2] | 150 x 150 | 150 x 150 | 150 x 150 |
| 能量范圍 [keV] | 8 - 25 (8 - 100)1 | 8 - 25 (8 - 100)1 | 8 - 25 (8 - 100)1 |
| 能量閾值數(shù)量 | 4 | 4 | 4 |
| 閾值范圍 [keV] | 4 - 30 (4 - 80)1 | 4 - 30 (4 - 80)1 | 4 - 30 (4 - 80)1 |
| 計(jì)數(shù)率 [ph/s/pixel] | 5.0 x 106 | 5.0 x 106 | 5.0 x 106 |
| 幀頻 [1] (max.) [Hz] | 10 | 100 | 100 |
| 讀出時(shí)間[2] | Continuous | Continuous | Continuous |
| 傳感器材料 | Cadmium telluride (CdTe) | Cadmium telluride (CdTe) | Cadmium telluride (CdTe) |
| 傳感器厚度 [μm] | 1,000 | 1,000 | 1,000 |
| 點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) (FWHM) [pixels] | 1 | 1 | 1 |
| 尺寸(W x H x D) [mm3] | 235 x 237 x 372 | 114 x 133 x 242 | 192 x 92 x 277 |
| 重量 [kg] | 15 | 4.7 | 5.8 |
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