半導(dǎo)體的種類有哪些
一、N型半導(dǎo)體
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體，即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
形成原理
摻雜和缺陷均可造成導(dǎo)帶中電子濃度的增高. 對(duì)于鍺、硅類半導(dǎo)體材料，摻雜Ⅴ族元素，當(dāng)雜質(zhì)原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時(shí)，可提供除滿足共價(jià)鍵配位以外的一個(gè)多余電子，這就形成了半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度的增加，該類雜質(zhì)原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半導(dǎo)體，其化學(xué)配比往往呈現(xiàn)缺氧，這些氧空位能表現(xiàn)出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導(dǎo)電性，即是N型半導(dǎo)體，真空加熱，能進(jìn)一步加強(qiáng)缺氧的程度。
二、P型半導(dǎo)體
P型半導(dǎo)體一般指空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
形成
在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故P型半導(dǎo)體呈電中性?？昭ㄖ饕呻s質(zhì)原子提供，自由電子由熱激發(fā)形成。
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