GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
200mm silicon epitaxial wafer
GBT35310-2017, GB35310-2017
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 35310-2017
- 別名
- GBT35310-2017, GB35310-2017
- 發(fā)布
- 2017年
- 總頁(yè)數(shù)
- 9頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
- 當(dāng)前最新
- GB/T 35310-2017
-
GB/T 35310—2017
200 mm硅外延片
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑200 mm硅外延片的術(shù)語(yǔ)和定義、產(chǎn)品分類(lèi)、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、質(zhì)量證明書(shū)。適用于在N型和P型硅拋光襯底片上外延生長(zhǎng)的硅外延片，主要用于制作集成電路或半導(dǎo)體器件。
專(zhuān)題
GB/T 35310-2017相似標(biāo)準(zhǔn)
推薦
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microL...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應(yīng)用于硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片...
上海合晶啟動(dòng)科創(chuàng)板IPO：半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商
1月22日，上海合晶硅材料股份有限公司（股票簡(jiǎn)稱(chēng)“上海合晶”）披露招股意向書(shū)等公告，正式啟動(dòng)上交所科創(chuàng)板發(fā)行工作。公告顯示，本次公司擬公開(kāi)發(fā)行6620.6036萬(wàn)股，募集資金主要用于低阻單晶成長(zhǎng)及優(yōu)質(zhì)外延研發(fā)項(xiàng)目、優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金等?！ ∩虾：暇侵袊?guó)少數(shù)具備從晶體成長(zhǎng)...
研究發(fā)現(xiàn)利用硅烯插層打開(kāi)外延生長(zhǎng)的雙層石墨烯能隙
石墨烯因其獨(dú)特的晶格結(jié)構(gòu)而具有諸多優(yōu)異性能，但其零能隙特征極大地限制了它在電子學(xué)器件上的應(yīng)用。近年來(lái)，中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心納米物理與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員、中科院院士高鴻鈞帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)在石墨烯及類(lèi)石墨烯二維原子晶體材料的制備、物性調(diào)控及應(yīng)用等方面開(kāi)展研究，取得了一系列...
基于簡(jiǎn)單的支架的多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長(zhǎng)
雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。在這項(xiàng)工作中，我們展示了一種簡(jiǎn)便的方法，通過(guò)自制的常規(guī)單晶片化學(xué)氣相沉積設(shè)備，在沒(méi)有大型基座的情況下，在簡(jiǎn)單的支架上放置...