ASTM F26-87a(1999)
用于確定半導(dǎo)體單晶體取向的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
Standard Test Methods for Determining the Orientation of a Semiconductive Single Crystal
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- ASTM F26-87a(1999) 中文首頁(yè)
- 發(fā)布
- 1987年
- 總頁(yè)數(shù)
- 5頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)
- 當(dāng)前最新
- ASTM F26-87a(1999)
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E177 ASTM E82
- 適用范圍
- 1.1 這些測(cè)試方法 2 涵蓋了用于確定主要用于半導(dǎo)體器件的單晶中大致平行于低指數(shù)原子平面的表面晶體取向的技術(shù)。
1.2 包括以下兩種類型的測(cè)試方法：
1.2.1 測(cè)試方法 A，X 射線衍射取向——該測(cè)試方法可用于所有半導(dǎo)體單晶的取向。
1.2.2 測(cè)試方法 B，光學(xué)取向——該測(cè)試方法目前僅限于元素半導(dǎo)體的應(yīng)用。
1.3 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。具體危險(xiǎn)說(shuō)明見第 6 節(jié)。