JY/T 0584-2020
掃描電子顯微鏡分析方法通則
General Rules for Analytical Methods of Scanning Electron Microscopy
JYT0584-2020, JY0584-2020
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- JY/T 0584-2020
- 別名
- JYT0584-2020, JY0584-2020
- 發(fā)布
- 2020年
- 總頁數(shù)
- 18頁
- 發(fā)布單位
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-教育
- 當(dāng)前最新
- JY/T 0584-2020
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 13298-2015 GB/T 17359-2012 GB/T 19501-2013 GB/T 23414-2009
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- JY/T 010-1996
- 本體
- 掃描電子顯微鏡
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了掃描電子顯微鏡 (scanning electron microscope, 以下簡(jiǎn)稱掃描電鏡或 SEM) 的分析方法原理、環(huán)境條件指標(biāo)、儀器、樣品、分析測(cè)試、結(jié)果報(bào)告、儀器維護(hù)和安全注意事項(xiàng)。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用各類掃描電鏡進(jìn)行的微觀形貌、微區(qū)成分和結(jié)構(gòu)分析等。
| 術(shù)語 | 描述 |
|---|---|
| 二次電子 secondary electron | 樣品中原子的核外電子被人射電子轟擊脫離原子, 當(dāng)其能量大于材料表面逸出功時(shí)從樣品表面逸出, 這種電子為二次電子。二次電子的能量在 $0 \sim 50 \mathrm{eV}$ 之間, 產(chǎn)生于從樣品表面到 $5 \mathrm{~nm} \sim 10 \mathrm{~nm}$ 的深度范圍。 |
| 背散射電子 backscattered electron | 入射電子與原子核碰撞, 并從固體樣品中反射出來的電子, 產(chǎn)生于從樣品表面到 $100 \mathrm{~nm} \sim 1 \mu \mathrm{m}$ 的深度范圍。背散射電子包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子, 通常以 BSE 表示。 |
| 加速電壓 accelerating voltage | 指掃描電鏡加載在電子槍陽極和陰極之間的電壓。 |
| 工作距離 working distance | 電子束在樣品表面聚焦時(shí)物鏡前緣與樣品表面聚焦點(diǎn)之間的距離, 單位為毫米 $(\mathrm{mm})$ 。 |
| 放大倍數(shù) magnification | 掃描電鏡放大倍數(shù)是指其圖像的線性放大倍數(shù), 以 $M$ 表示。如果電子束在樣品上掃描行寬為 $L_{\mathrm{s}}$,圖像顯示屏上掃描行寬為 $L_{\mathrm{c}}$, 則放大倍數(shù) $M$ 定義為: $ M=\ rac{L_{\mathrm{c}}}{L_{\mathrm{s}}} $ |
JY/T 0584-2020 中提到的儀器設(shè)備
| X 射線能量色散譜儀 (EDS) 含半導(dǎo)體探測(cè)器 (如 Si(Li) 或 SDD 探測(cè)器)、脈沖處理器、數(shù)字處理單元、SEM 控制器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng) | 用于元素定性和定量分析的設(shè)備 |
| 掃描電子顯微鏡 包括臺(tái)式、鎢燈絲、六硼化鑭和場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 | 由電子光學(xué)系統(tǒng)、樣品室、信號(hào)收集處理顯示系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和電源系統(tǒng)等部分組成 |
| 電子背散射衍射儀 (EBSD) 含高靈敏度 CCD 相機(jī)、樣品臺(tái)、SEM 控制器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng) | 用于微區(qū)晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 陰極熒光譜儀 含熒光信號(hào)收集器、耦合切換器、單色器、光信號(hào)放大器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng) | 用于陰極熒光光譜和圖像分析 |
其他標(biāo)準(zhǔn)
專題
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