GB/T 41153-2021
碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
GBT41153-2021, GB41153-2021
- 標準號
- GB/T 41153-2021
- 別名
- GBT41153-2021, GB41153-2021
- 發(fā)布
- 2021年
- 總頁數(shù)
- 8頁
- 發(fā)布單位
- 國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標準化管理委員會
- 當前最新
- GB/T 41153-2021
- 引用標準
- GB/T 14264 GB/T 22461 GB/T 32267
- 適用范圍
- 本文件規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。 本文件適用于碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的定量分析,測定范圍為硼含量不小于5×1013 cm-3、鋁含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素濃度(原子個數(shù)百分比)不大于1%。 注1:碳化硅單晶中待測元素的含量以每立方厘米中的原子數(shù)計。 注2:碳化硅單晶中釩雜質(zhì)含量的測定可參照本文件進行,測定范圍為釩含量不小于1×1013 cm-3 。
| 術(shù)語 | 描述 |
|---|---|
| 二次離子質(zhì)譜儀 Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS) | 一種用于檢測表面元素及其濃度的儀器，通過一次離子轟擊樣品并分析二次離子 |
| 相對靈敏度因子 Relative Sensitivity Factor | 用于定量分析的標準參數(shù)，表示待測元素與參考元素的信號比例 |
| 主元素硅 Primary Element Silicon | 在碳化硅單晶中占主要成分的元素 |
GB/T 41153-2021 中提到的儀器設(shè)備
| 扇形磁場二次離子質(zhì)譜儀 | 一種用于高靈敏度表面分析的儀器，配備有氧一次離子源和銫一次離子源 |