紅外 硅氧硅
本專題涉及紅外 硅氧硅的標(biāo)準(zhǔn)有8條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，紅外 硅氧硅涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，紅外 硅氧硅涉及到元素半導(dǎo)體材料、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、金屬物理性能試驗(yàn)方法。
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)，關(guān)于紅外 硅氧硅的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的測定 脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法
- GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的測試 惰性氣體熔融紅外法
- GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于紅外 硅氧硅的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
- GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于紅外 硅氧硅的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ/T 11552-2015 以布魯斯特角入射P偏振輻射紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量
- SJ/T 11491-2015 短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于紅外 硅氧硅的標(biāo)準(zhǔn)
- DIN 50438-1-1995 半導(dǎo)體工藝材料檢驗(yàn).用紅外吸收法測量硅的雜質(zhì)含量.第1部分:氧
