硅單晶
本專題涉及硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)有36條。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，硅單晶涉及到紙和紙板、半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、綜合、術(shù)語(yǔ)學(xué)、標(biāo)準(zhǔn)化、文獻(xiàn)、詞匯、導(dǎo)體材料。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，硅單晶涉及到元素半導(dǎo)體材料、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、、化合物半導(dǎo)體材料、電磁計(jì)量、太陽(yáng)能、金屬物理性能試驗(yàn)方法、電子技術(shù)專用材料、無線電計(jì)量、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法。
國(guó)家質(zhì)檢總局，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 12962-2005 硅單晶
- GB/T 12962-2015 硅單晶
- GB/T 29504-2013 300mm 硅單晶
- GB/T 25076-2010 太陽(yáng)電池用硅單晶
- GB/T 29506-2013 300mm 硅單晶拋光片
- GB/T 30656-2014 碳化硅單晶拋光片
- GB/T 12964-2003 硅單晶拋光片
- GB/T 26065-2010 硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范
- GB/T 12965-2005 硅單晶切割片和研磨片
- GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
- GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法
- GB/T 12962-1996 硅單晶
- GB/T 32278-2015 碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法
- GB/T 42263-2022 硅單晶中氮含量的測(cè)定 二次離子質(zhì)譜法
中國(guó)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- T/IAWBS 001-2021 碳化硅單晶
- T/ZZB 2675-2022 TVS用硅單晶研磨片
- T/IAWBS 005-2018 6 英寸碳化硅單晶拋光片
- T/ZZB 0648-2018 200 mm重?fù)搅字崩鑶尉伖馄?/li>
- T/NXCL 016-2022 200 mm重?fù)戒R直拉硅單晶拋光片
- T/NXCL 017-2022 300 mm重?fù)搅字崩鑶尉伖馄?/li>
- T/IAWBS 014-2021 碳化硅單晶拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試方法
- T/ZZB 2283-2021 半導(dǎo)體級(jí)碳化硅單晶用超高純石墨粉
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 26069-2022 硅單晶退火片
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ/T 11502-2015 碳化硅單晶拋光片規(guī)范
- SJ/T 11501-2015 碳化硅單晶晶型的測(cè)試方法
- SJ 2572-1985 太陽(yáng)能電池用硅單晶棒、片
- SJ/T 11500-2015 碳化硅單晶晶向的測(cè)試方法
- SJ 20750-1999 軍用CMOS電路用抗輻射硅單晶片規(guī)范
- SJ/T 11504-2015 碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測(cè)試方法
- SJ/T 11499-2015 碳化硅單晶電學(xué)性能的測(cè)試方法
國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- JJG 48-2004 硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片
- JJG 48-1990 硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定規(guī)程
上海市標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- DB31/ 792-2020 硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額
河北省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- DB13/T 1314-2010 太陽(yáng)能級(jí)單晶硅方棒、單晶硅片
UNKNOWN，關(guān)于硅單晶的標(biāo)準(zhǔn)
- YB 1602-83 硅單晶
- YB 1602-1983 硅單晶
