ISO 17331:2004
表面化學(xué)分析.從硅片工作基準(zhǔn)材料表面采集元素的化學(xué)方法及其全反射X射線熒光光譜法的測(cè)定

Surface chemical analysis - Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

被代替

ISO 17331:2004 發(fā)布?xì)v史

ISO 17331:2004由國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織 IX-ISO 發(fā)布于 2004-05。

ISO 17331:2004 在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: G04 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法，在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: 71.040.50 物理化學(xué)分析方法。

本標(biāo)準(zhǔn)有等同采用的中文版 GB/T 30701-2014 表面化學(xué)分析硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面元素的化學(xué)收集方法和全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測(cè)定

ISO 17331:2004 表面化學(xué)分析.從硅片工作基準(zhǔn)材料表面采集元素的化學(xué)方法及其全反射X射線熒光光譜法的測(cè)定的最新版本是哪一版？

最新版本是 ISO 17331:2004/Amd 1:2010 。

ISO 17331:2004 發(fā)布之時(shí)，引用了標(biāo)準(zhǔn)

ISO 14644-1:1999 潔凈室和相關(guān)控制環(huán)境第1部分:空氣潔凈度分級(jí)
ISO 14706:2000 表面化學(xué)分析用總反射X-射線熒光(TXRF)測(cè)定法測(cè)定硅晶片的表面基本的污染
ISO 5725-2:1994 測(cè)試方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度(正確度與精密度) 第2部分:確定標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法重復(fù)性和可再現(xiàn)性的基本方法

ISO 17331:2004的歷代版本如下：

2010年 ISO 17331:2004/Amd 1:2010 表面化學(xué)分析.硅晶片加工標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)表面元素收集用化學(xué)方法和及其光分析儀(TXRF)光譜學(xué)測(cè)定.修改件1
2004年 ISO 17331:2004 表面化學(xué)分析.從硅片工作基準(zhǔn)材料表面采集元素的化學(xué)方法及其全反射X射線熒光光譜法的測(cè)定

本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用氣相分解法或直接酸滴分解法從硅晶片工作標(biāo)準(zhǔn)材料表面收集鐵和/或鎳的化學(xué)方法。本國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)適用于鐵和/或鎳原子表面密度為 6 × 109 個(gè)原子/cm2 至 5 × 1011 個(gè)原子/cm2 的鐵和/或鎳。