質(zhì)譜中的母離子峰
本專題涉及質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)有111條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，質(zhì)譜中的母離子峰涉及到金屬材料試驗(yàn)、分析化學(xué)、半導(dǎo)體材料、土質(zhì)、土壤學(xué)、食品試驗(yàn)和分析的一般方法、半導(dǎo)體分立器件、犯罪行為防范、橡膠和塑料制品、微生物學(xué)、光學(xué)和光學(xué)測量。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，質(zhì)譜中的母離子峰涉及到半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、元素半導(dǎo)體材料、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、犯罪鑒定技術(shù)、、、塑料型材、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、食品衛(wèi)生、衛(wèi)生綜合、土壤環(huán)境質(zhì)量分析方法、化學(xué)、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、保健食品、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、基礎(chǔ)學(xué)科綜合、表面活性劑、輕金屬及其合金分析方法、光學(xué)計(jì)量儀器。
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 42274-2022 氮化鋁材料中痕量元素（鎂、鎵）含量及分布的測定 二次離子質(zhì)譜法
- GB/T 42263-2022 硅單晶中氮含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
- GB/T 32495-2016 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 32281-2015 太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質(zhì)譜法
- GB/T 29851-2013 光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法
- GB/T 29852-2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法
- GB/T 25186-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.由離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)確定相對靈敏度因子
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質(zhì)譜檢測方法
- GB/T 24580-2009 重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法
- GB/T 22572-2008 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用多δ層參考物質(zhì)評估深度分辨參數(shù)的方法
- GB/T 20176-2006 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 41064-2021 表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法
- GB/T 41153-2021 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
- GB/T 40109-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 40129-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀質(zhì)量標(biāo)校準(zhǔn)
- GB/T 39144-2020 氮化鎵材料中鎂含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 17862:2022 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
- ISO/TS 22933:2022 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.模擬離子質(zhì)譜中質(zhì)量分辨率的測量方法
- ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析.深度剖面.用單層和多層薄膜在X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中測定濺射速率的方法
- ISO 18114:2021 表面化學(xué)分析. 次級離子質(zhì)譜法. 測定離子注入標(biāo)樣中的相對靈敏度系數(shù)
- ISO 22415:2019 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.有機(jī)材料氬團(tuán)簇濺射深度剖面測定屈服體積的方法
- ISO 178:2019 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
- ISO 13084:2018 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 用于飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)譜的校準(zhǔn)
- ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- ISO 17560:2014 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO 17862:2013 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
- ISO 13084:2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀用質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
- ISO 12406:2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO 14237:2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.使用多δ層參考材料的硅深度校準(zhǔn)方法
- ISO 23830:2008 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.靜態(tài)次級離子質(zhì)譜測定法中相對強(qiáng)度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- ISO 22048:2004 表面化學(xué)分析——靜態(tài)二次離子質(zhì)譜信息格式
- ISO 20341:2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標(biāo)準(zhǔn)材料深度溶解參數(shù)的估算方法
- ISO 18114:2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.測定離子注入標(biāo)樣中的相對靈敏度系數(shù)
- ISO 14237:2000 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- ISO 178:1975 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
美國材料與試驗(yàn)協(xié)會，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM D7363-13A(2021)e1 在選定離子監(jiān)測模式下用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體和烷基多環(huán)芳烴的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM E1635-06(2019) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E1504-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E1162-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM C1845-16 在以電感耦合等離子體質(zhì)譜法 (ICP-MS)進(jìn)行的同位素分析中使用高壓離子色譜法 (HPIC) 從鈾矩陣中分離鑭系元素的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM D7363-13 在選定的離子監(jiān)控模式下用固相微萃取法和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體芳烴和烷基多環(huán)芳烴的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM D7363-13a 在選定的離子監(jiān)控模式下用固相微萃取法和氣相色譜/質(zhì)譜法測定沉積物孔隙水中母體芳烴和烷基多環(huán)芳烴的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM E1881-12 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 對細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1880-12 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 進(jìn)行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM D7363-11 采用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜.選擇離子檢測模式測定沉淀物間隙水中前體及烷基多環(huán)芳香烴的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM E1162-11 報(bào)告次級離子質(zhì)譜分析法(SIMS)中濺深深度文件數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程
- ASTM E1504-11 次級離子質(zhì)譜分析法中報(bào)告質(zhì)譜數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程
- ASTM E2426-10 通過用次級離子質(zhì)譜法測量同位素比率對脈沖計(jì)算系統(tǒng)死時(shí)間測定的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E2695-09 用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法說明質(zhì)譜數(shù)據(jù)獲取的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM D7363-07 使用固相微萃取和氣相色譜/質(zhì)譜法在選定的離子監(jiān)測模式下測定沉積物孔隙中的親本和烷基多環(huán)芳烴的標(biāo)準(zhǔn)測試方法
- ASTM E1881-06 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行細(xì)胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1635-06(2011) 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- ASTM E1504-06 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E1162-06 報(bào)告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中濺射深度截面數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E1635-06 報(bào)告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)用標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM E1438-06 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量深度摻雜分布界面寬度標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1880-06 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
- ASTM F1617-98 用次級離子質(zhì)譜測定法(SIMS)測定表面鈉,鋁,鉀-硅和EPI襯底的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM E1504-92(2001) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
- ASTM E1504-92(1996) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
- ASTM E1438-91(2001) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度
- ASTM E1438-91(1996) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度
- ASTM E1162-87(1996) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)
- ASTM E1162-87(2001) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-公共安全標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- GA/T 1916-2021 法庭科學(xué) 生物檢材中氟乙酸根離子檢驗(yàn) 液相色譜-質(zhì)譜法
- GA/T 1628-2019 法庭科學(xué) 生物檢材中草甘膦檢驗(yàn) 離子色譜-質(zhì)譜法
- GA/T 1320-2016 法庭科學(xué)血液、尿液中氟離子氣相色譜-質(zhì)譜檢驗(yàn)方法
- GA/T 933-2011 生物樣品中氟乙酸根離子的氣相色譜和氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用檢驗(yàn)方法
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS K0158-2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 單離子計(jì)數(shù)動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜法中飽和強(qiáng)度的校正方法
- JIS K0157-2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 渡越時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
- JIS K7129-6-2016 塑料. 薄膜和薄板材. 水蒸汽傳遞率的測定. 第6部分: 大氣壓力離子質(zhì)譜法
- JIS K0153-2015 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法中相對強(qiáng)度范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- JIS K0169-2012 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜(SIMS).帶多重亞鉛層對照物的深度分辨率參數(shù)估算方法
- JIS K0168-2011 表面化學(xué)分析.靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法用信息格式
- JIS K0163-2010 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.離子注入標(biāo)樣中相對靈敏度系數(shù)的測定
- JIS K0143-2000 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.利用均勻摻雜材料測定硅中硼原子濃度
中國團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- T/DLAS 004-2021 富硒農(nóng)產(chǎn)品中5種硒的測定 離子色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
- T/CASAS 009-2019 半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法
- T/CASAS 010-2019 氮化鎵材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- BS ISO 15106-6:2015 塑料. 薄膜和薄板. 水蒸汽傳遞率的測定. 大氣壓力離子質(zhì)譜法
- BS ISO 17862:2013 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析器強(qiáng)度標(biāo)的線性
- BS ISO 13084:2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜用質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
- BS ISO 12406:2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 14237:2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度
- BS ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準(zhǔn)物質(zhì)對硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法
- BS ISO 23830:2008 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.靜態(tài)次級離子質(zhì)譜法中相對強(qiáng)度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
- BS ISO 22048:2005 表面化學(xué)分析.靜態(tài)次生離子質(zhì)譜法的信息格式
- BS ISO 20341:2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標(biāo)準(zhǔn)材料深度溶解參數(shù)的估算方法
- BS ISO 18114:2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.測定離子注入標(biāo)樣的相對靈敏系數(shù)
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ/T 11498-2015 重?fù)焦枰r底中氧濃度的二次離子質(zhì)譜測量方法
- SJ/T 11493-2015 硅襯底中氮濃度的二次離子質(zhì)譜測量方法
國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- SN/T 3850.1-2014 出口食品中多種糖醇類甜味劑的測定 第1部分：液相色譜串聯(lián)質(zhì)譜法和離子色譜法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-商品檢驗(yàn)，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- SN/T 3541-2013 出口食品中多種醚類除草劑殘留量檢測方法 氣相色譜 -負(fù)化學(xué)離子源-質(zhì)譜法
- SN/T 2210-2008 保健食品中六價(jià)鉻的測定.離子色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- NF X21-070-2010 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度.
- NF X21-066-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜分析法.用多δ層參考物質(zhì)對硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法
- NF X21-064-2009 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜測定法.靜態(tài)次級離子質(zhì)譜測定法中相對強(qiáng)度數(shù)值范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D ISO 20341:2005 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.多δ層標(biāo)準(zhǔn)材料深度溶解參數(shù)的估算方法
- KS D ISO 22048:2005 表面化學(xué)分析.靜態(tài)次生離子質(zhì)譜法的信息格式
- KS D ISO 18114:2005 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.測定離子注入標(biāo)樣中的相對靈敏度系數(shù)
- KS D ISO 14237:2003 表面化學(xué)分析.次級離子質(zhì)譜法.使用非均一摻雜材料的硅中硼原子的濃度測定
，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D ISO 18114-2005(2020) 表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜法離子注入標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)相對靈敏度因子的測定
- KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜法用多δ層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)估算深度分辨參數(shù)的方法
- KS D ISO 22048-2005(2020) 表面化學(xué)分析 - 靜態(tài)二次離子質(zhì)譜的信息格式
浙江省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- DB33/T 543-2005 水果、蔬菜中農(nóng)藥多殘留測定方法氣相色譜離子阱質(zhì)譜聯(lián)用法
澳大利亞標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會，關(guān)于質(zhì)譜中的母離子峰的標(biāo)準(zhǔn)
- AS ISO 17560:2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜測量法．硅中注入硼的深度分布分析法
- AS ISO 14237:2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜測量法．使用均一的絕緣材料測定硅中的硼原子濃度
- AS ISO 22048:2006 表面化學(xué)分析．靜止次級離子質(zhì)譜測量法用信息格式
- AS ISO 18114:2006 表面化學(xué)分析．次級離子質(zhì)譜法．植入離子的參考材料的相對靈敏系數(shù)的測定
